型号:

NDD02N60ZT4G

RoHS:无铅 / 符合
制造商:ON Semiconductor描述:MOSFET N-CH 600V DPAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
NDD02N60ZT4G PDF
产品目录绘图 MOSFET DPAK Pkg
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 4.8 欧姆 @ 1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 16nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 325pF @ 25V
功率 - 最大 57W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 D-Pak
包装 剪切带 (CT)
其它名称 NDD02N60ZT4GOSCT
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